SI2342DS-T1-GE3,2646367,晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 8 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 800 mV,VISHAY
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SI2342DS-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 8 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 800 mV

VISHAY SI2342DS-T1-GE3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI2342DS-T1-GE3
仓库库存编号:
2646367
技术数据表:
(EN)
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SI2342DS-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  6A  
  漏源电压, Vds  8V  
  在电阻RDS(上)  0.014ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  800mV  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  TrenchFET Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
SI2342DS-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

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MOSFET 8V 6A 2.5

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2342DS-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SI2342DS-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 8V 6A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2342DS-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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SI2342DS-T1-GE3
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MOSFET, N-CH, 8V, 6A, SOT-23

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MOSFET, N-CH, 8V, 6A, SOT-23

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SI2342DS-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

N-Channel 8 V 0.017 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI2342DS-T1-GE3
VISHAY SI2342DS-T1-GE3
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VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 8 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 800 mV

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SI2342DS-T1-GE3
VISHAY SI2342DS-T1-GE3
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晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 8 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 800 mV

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Vishay Siliconix - SI2342DS-T1-GE3 - MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23

型号:SI2342DS-T1-GE3
仓库库存编号:SI2342DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2342DS-T1-GE3CT
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SI2342DS-T1-GE3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.00002
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