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SI2333CDS-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -7.1 A, -12 V, 28.5 mohm, -4.5 V, -400 mV

VISHAY SI2333CDS-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
1779259
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI2333CDS-T1-GE3产品概述

The SI2333CDS-T1-GE3 is a -12V P-channel TrenchFET? Power MOSFET. Suitable for use in load switch for portable devices and PA switches. The surface-mounted LITTLE FOOT? power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

电源管理, 便携式器材

SI2333CDS-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -7.1A  
  漏源电压, Vds  -12V  
  在电阻RDS（上）  28.5mohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -400mV  
  功耗 Pd  2.5W  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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SI2333CDS-T1-GE3替代选择

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI2333CDS-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00005
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