SI2323DS-T1-E3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 V

SI2323DS-T1-E3产品概述

SI2323DS-T1-E3产品信息

SI2323DS-T1-E3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI2323DS-T1-GE3
  
• 1690271

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236

  (EN)
• 搜索

• DMG3415U-7
  
• 1843688

• DIODES INC.

  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 31 mohm, -4.5 V, -550 mV

  (EN)
• 搜索

• PMV32UP
  
• 1894624

• NEXPERIA

  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.032 ohm, -4.5 V, -700 mV

  (EN)
• 搜索

• SI2323DS-T1-GE3
  
• 2371204

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236, 整卷

  (EN)
• 搜索

SI2323DS-T1-E3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2011PBF
  
• 1080612

• INFINEON

  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 1A输出, 75ns延迟, DIP-8

  (EN)
• 搜索

• RE901
  
• 1172113

• ROTH ELEKTRONIK

  电路板, 多模适配器, 环氧玻璃复合, 1.5mm, 22.86mm x 46.72mm

  (EN)
• 搜索

• 574601
  
• 1307163

• STANNOL

  焊锡丝, KS100, 0.3mm直径, 217°C, 250g

  (EN)
• 搜索

SI2323DS-T1-E3相关搜索

SI2323DS-T1-E3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.0001