SI2319DS-T1-E3,1838990RL,晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, -10 V, -3 V,VISHAY
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

SI2319DS-T1-E3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, -10 V, -3 V

VISHAY SI2319DS-T1-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI2319DS-T1-E3
仓库库存编号：
1838990RL
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SI2319DS-T1-E3产品概述

The SI2319DS-T1-E3 is a -40V P-channel TrenchFET? Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT? power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

电源管理

SI2319DS-T1-E3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -3A  
  漏源电压, Vds  -40V  
  在电阻RDS（上）  0.065ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -3V  
  功耗 Pd  750mW  
  晶体管封装类型  TO-236  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SI2319DS-T1-E3相关搜索

晶体管极性 P沟道  VISHAY 晶体管极性 P沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 P沟道   电流, Id 连续 -3A  VISHAY 电流, Id 连续 -3A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -3A  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 -3A   漏源电压, Vds -40V  VISHAY 漏源电压, Vds -40V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -40V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -40V   在电阻RDS（上） 0.065ohm  VISHAY 在电阻RDS（上） 0.065ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.065ohm  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.065ohm   电压 @ Rds测量 -10V  VISHAY 电压 @ Rds测量 -10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 -10V   阈值电压 Vgs -3V  VISHAY 阈值电压 Vgs -3V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3V   功耗 Pd 750mW  VISHAY 功耗 Pd 750mW  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 750mW  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 750mW   晶体管封装类型 TO-236  VISHAY 晶体管封装类型 TO-236  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-236  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-236   针脚数 3引脚  VISHAY 针脚数 3引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚   工作温度最高值 150°C  VISHAY 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  VISHAY 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  VISHAY 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  VISHAY MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI2319DS-T1-E3产地与重量

原产地：
United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com