SI2301CDS-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -400 mV

SI2301CDS-T1-GE3产品信息

SI2301CDS-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI2301BDS-T1-E3
  
• 1470099

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mV

  (EN)
• 搜索

• DMP2215L-7
  
• 1713864

• DIODES INC.

  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.7 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -890 mV

  (EN)
• 搜索

• IRLML2244TRPBF
  
• 2458811

• INTERNATIONAL RECTIFIER

  P CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -4.3A, SOT-23

  (EN)
• 搜索

• IRLML2244TRPBF
  
• 2468051

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V

  (EN)
• 搜索

SI2301CDS-T1-GE3相关搜索

SI2301CDS-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000109