SI1912EDH-T1-E3 - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.13 A, 20 V, 0.22 ohm, 4.5 V, 450 mV

SI1912EDH-T1-E3产品信息

SI1912EDH-T1-E3替代选择

• 制造商产品编号
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• 操作

• PMGD280UN,115
  
• 1758098

• NEXPERIA

  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV

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• SI1922EDH-T1-GE3
  
• 2056714

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  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.3 A, 20 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 400 mV

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SI1912EDH-T1-E3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.001