SI1026X-T1-GE3,2646361,双路场效应管, MOSFET, N沟道, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V,VISHAY
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SI1026X-T1-GE3 - 

双路场效应管, MOSFET, N沟道, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY SI1026X-T1-GE3
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制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI1026X-T1-GE3
仓库库存编号:
2646361
技术数据表:
(EN)
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SI1026X-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  305mA  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS(上)  1.4ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  250mW  
  晶体管封装类型  SC-89  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SI1026X-T1-GE3替代选择

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型号 制造商 描述 操作
SI1026X-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 1.25 ohms @ 10V

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563F T/R

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563F T/R - Tape and Reel (Alt: SI1026X-T1-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R

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MOSFET, N-CH, 60V, 0.305A, SC-89

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MOSFET, N-CH, 60V, 0.305A, SC-89

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MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.305A, SC-89-6

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Single N-Channel 60 V 3 O 250 mW Surface Mount Power Mosfet - SC-89-6

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Single N-Channel 60 V 3 O 250 mW Surface Mount Power Mosfet - SC-89-6

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SI1026X-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.3 A, 60 V, 6-Pin SC-89

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SI1026X-T1-GE3/BKN
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DUAL 60V (D-S) N-CH MOSFET W/ESD PR

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MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 1.25 ohms @ 10V

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SI1026X-T1-GE3|VISHAYSI1026X-T1-GE3
VISHAY
单 N沟道 60 V 1.4 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SC-89
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无图SI1026X-T1-GE3/BKN
Siliconix / Vishay
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SI1026X-T1-GE3|VISHAYSI1026X-T1-GE3
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单 N沟道 60 V 1.4 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SC-89
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SI1026X-T1-GE3|Vishay SiliconixSI1026X-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
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MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6
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Vishay Siliconix - SI1026X-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6

型号:SI1026X-T1-GE3
仓库库存编号:SI1026X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1026X-T1-GE3CT
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Siliconix / Vishay - SI1026X-T1-GE3 - 6-Pin SC-89 60 V 0.3 A SI1026X-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor|70026182 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
SI1026X-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.3 A, 60 V, 6-Pin SC-89


型号:SI1026X-T1-GE3
仓库库存编号:70026182

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Siliconix / Vishay - SI1026X-T1-GE3/BKN - DUAL 60V (D-S) N-CH MOSFET W/ESD PR|70026345 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
DUAL 60V (D-S) N-CH MOSFET W/ESD PR


型号:SI1026X-T1-GE3/BKN
仓库库存编号:70026345

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SI1026X-T1-GE3.
VISHAY SI1026X-T1-GE3.
1690191

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道 通道, 60V, 0.305A, SC-89-6

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VISHAY SI1026X-T1-GE3
2646361

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, N沟道, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V

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SI1026X-T1-GE3
VISHAY SI1026X-T1-GE3
2679671

VISHAY

双路场效应管, MOSFET, N沟道, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SI1026X-T1-GE3 - Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI1026X-T1-GE3, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装

制造商零件编号:
SI1026X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9046
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI1026X-T1-GE3产地与重量

原产地:
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412100
重量(千克):
.000123
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