2N5116-E3,2547293,晶体管, JFET, 30 V, -5 mA, -25 mA, 4 V, TO-206AA, JFET,VISHAY
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2N5116-E3 - 

晶体管, JFET, 30 V, -5 mA, -25 mA, 4 V, TO-206AA, JFET

VISHAY 2N5116-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
2N5116-E3
仓库库存编号：
2547293
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2N5116-E3产品信息

  击穿电压 VBR  30V  
  零闸电压漏极电流, Idss 最小值  -5mA  
  零闸电压漏极电流, Idss 最大值  -25mA  
  栅极源极截断电压, Vgs 最大值  4V  
  晶体管封装类型  TO-206AA  
  晶体管类型  JFET  
  引脚数  3引脚  
  工作温度最高值  200°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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型号 制造商 描述 操作
2N5116-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

JFET 30V 10pA

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
2N5116-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

JFET, P CHANNEL, 30V, TO-206AA-3

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2N5116-E3|VISHAY SILICONIX2N5116-E3
VISHAY SILICONIX		晶体管 JFET
Rohs

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VISHAY SILICONIX		晶体管 JFET
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Vishay Siliconix - 2N5116-E3 - JFET P-CH 30V TO-18		Vishay Siliconix
JFET P-CH 30V TO-18
详细描述：JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)

型号：2N5116-E3
仓库库存编号：2N5116-E3-ND
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
2N5116-E3
VISHAY 2N5116-E3		2547293

VISHAY

晶体管, JFET, 30 V, -5 mA, -25 mA, 4 V, TO-206AA, JFET

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2N5116-E3产地与重量

原产地：
Philippines

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000311
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