SUM90N10-8M2P-E3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 90A, TO-263-3

SUM90N10-8M2P-E3产品信息

SUM90N10-8M2P-E3替代选择

• 制造商产品编号
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• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SUM90N10-8M2P-E3
  
• 1779253

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 6.7 mohm, 10 V, 2.5 V

  (EN)
• 搜索

• IRFS4310ZPBF.
  
• 2126574

• INFINEON

  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 140A D2-PAK

  (EN)
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SUM90N10-8M2P-E3关联产品

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• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2011PBF..
  
• 2132307

• INFINEON

  芯片, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8

  (EN)
• 搜索

• IR2113SPBF
  
• 2565917

• INTERNATIONAL RECTIFIER

  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16

  (EN)
• 搜索

• IR2011SPBF
  
• 8210799

• INFINEON

  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边

  (EN)
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SUM90N10-8M2P-E3产地与重量

原产地：

Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.002156