SUM110P06-07L-E3,2371215,场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 11A, TO-263, 整卷,VISHAY
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SUM110P06-07L-E3
SUM110P06-07L-E3 -
场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 11A, TO-263, 整卷
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制造商:
VISHAY
VISHAY
制造商产品编号:
SUM110P06-07L-E3
仓库库存编号:
2371215
技术数据表:
(EN)
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SUM110P06-07L-E3产品信息
晶体管极性
P沟道
电流, Id 连续
-110A
漏源电压, Vds
-60V
在电阻RDS(上)
0.0055ohm
电压 @ Rds测量
20V
阈值电压 Vgs
-3V
功耗 Pd
3.75W
晶体管封装类型
TO-263
针脚数
3引脚
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
关键词
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制造商产品编号
仓库库存编号
制造商 / 说明 / 规格书
操作
217-36CTRE6.
1624435
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散热器, D2-PAK / SOL-20 / SOT-223 / TO-220
(EN)
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电流, Id 连续 -110A
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漏源电压, Vds -60V
VISHAY 漏源电压, Vds -60V
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds -60V
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在电阻RDS(上) 0.0055ohm
VISHAY 在电阻RDS(上) 0.0055ohm
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0055ohm
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电压 @ Rds测量 20V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 20V
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阈值电压 Vgs -3V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs -3V
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功耗 Pd 3.75W
VISHAY 功耗 Pd 3.75W
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 3.75W
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晶体管封装类型 TO-263
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 TO-263
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针脚数 3引脚
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 3引脚
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工作温度最高值 175°C
VISHAY 工作温度最高值 175°C
场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 175°C
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SUM110P06-07L-E3产地与重量
原产地:
Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
.002483
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