SQS420EN-T1-GE3,2364137,晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 20 V, 0.0235 ohm, 4.5 V, 600 mV,VISHAY
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SQS420EN-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 20 V, 0.0235 ohm, 4.5 V, 600 mV

VISHAY SQS420EN-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SQS420EN-T1-GE3
仓库库存编号：
2364137
技术数据表：
(EN)
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SQS420EN-T1-GE3产品概述


车用

SQS420EN-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  8A  
  漏源电压, Vds  20V  
  在电阻RDS（上）  0.0235ohm  
  电压 @ Rds测量  4.5V  
  阈值电压 Vgs  600mV  
  功耗 Pd  18W  
  晶体管封装类型  PowerPAK 1212  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  175°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  AEC-Q101  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SQS420EN-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.002
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