SIZ916DT-T1-GE3 - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 30 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.2 V

SIZ916DT-T1-GE3产品信息

SIZ916DT-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
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• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR21064SPBF
  
• 8638772

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14

  (EN)
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• IR2106SPBF
  
• 8638799

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8

  (EN)
• 搜索

• IR21084SPBF
  
• 9101810

• INFINEON

  双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14

  (EN)
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SIZ916DT-T1-GE3相关搜索

SIZ916DT-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.006