SIS402DN-T1-GE3,2478940,场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAK, 整卷,VISHAY
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4.7μF 63V 5mm
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SIS402DN-T1-GE3
SIS402DN-T1-GE3 -
场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAK, 整卷
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制造商:
VISHAY
VISHAY
制造商产品编号:
SIS402DN-T1-GE3
仓库库存编号:
2478940
技术数据表:
(EN)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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SIS402DN-T1-GE3产品信息
晶体管极性
N沟道
电流, Id 连续
35A
漏源电压, Vds
30V
在电阻RDS(上)
0.0048ohm
电压 @ Rds测量
10V
阈值电压 Vgs
3V
功耗 Pd
3.8W
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
针脚数
8引脚
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
关键词
SIS402DN-T1-GE3相关搜索
晶体管极性 N沟道
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电流, Id 连续 35A
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 35A
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漏源电压, Vds 30V
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在电阻RDS(上) 0.0048ohm
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS(上) 0.0048ohm
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电压 @ Rds测量 10V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V
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阈值电压 Vgs 3V
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 3V
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功耗 Pd 3.8W
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 3.8W
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晶体管封装类型 PowerPAK 1212
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针脚数 8引脚
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工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C
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场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited
VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 - Unlimited
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Q Q:
800152669
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SIS402DN-T1-GE3产地与重量
原产地:
Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规:
是
税则号:
85412900
重量(千克):
0
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
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