SIS322DNT-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V

SIS322DNT-T1-GE3产品信息

SIS322DNT-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2109PBF
  
• 1023207

• INFINEON

  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8

  (EN)
• 搜索

• IR21091SPBF
  
• 1080615

• INFINEON

  芯片, 半桥驱动器 单输入

  (EN)
• 搜索

• IR2109SPBF
  
• 8638829

• INFINEON

  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8

  (EN)
• 搜索

SIS322DNT-T1-GE3相关搜索

SIS322DNT-T1-GE3产地与重量

原产地：

Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.006