SIR414DP-T1-GE3 - 

MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POWERPAK SO-8

SIR414DP-T1-GE3产品信息

SIR414DP-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
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• 操作

• PSMN2R6-40YS
  
• 1785636

• NEXPERIA

  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 3 V

  (EN)
• 搜索

• SIR414DP-T1-GE3
  
• 2335397

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1 V

  (EN)
• 搜索

• SIR470DP-T1-GE3
  
• 2459399

• VISHAY

  MOSFET, N CHANNEL, 40V, 60A, POWERPAK SO-8

  (EN)
• 搜索

SIR414DP-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2011PBF..
  
• 2132307

• INFINEON

  芯片, MOSFET驱动器, 高/低压侧, DIP-8

  (EN)
• 搜索

• IR2113SPBF
  
• 2565917

• INTERNATIONAL RECTIFIER

  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC16

  (EN)
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• IR2011SPBF
  
• 8210799

• INFINEON

  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边

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SIR414DP-T1-GE3产地与重量

原产地：

Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000442