SIHP8N50D-GE3,2283623,晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 3 V,VISHAY
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SIHP8N50D-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 3 V

VISHAY SIHP8N50D-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIHP8N50D-GE3
仓库库存编号：
2283623
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIHP8N50D-GE3产品概述

The SIHP8N50D-GE3 is a 500V N-channel high voltage MOSFET with low area specific on-resistance and low input capacitance. This D series MOSFET is used in displays, server and telecom power supply applications.
  • Reduced capacitive switching losses
  • High body diode ruggedness
  • Optimal efficiency and operation due to simple gate drive circuitry
  • Low figure of merit Ron X Qg
  • 100% Avalanche rated

电源管理, 消费电子产品, 工业

SIHP8N50D-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  8.7A  
  漏源电压, Vds  500V  
  在电阻RDS（上）  0.7ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  156W  
  晶体管封装类型  TO-220AB  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  D Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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QQ:800152669

SIHP8N50D-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.005443
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