SIHP33N60E-GE3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-220AB-3

SIHP33N60E-GE3产品信息

SIHP33N60E-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SIHP33N60E-GE3
  
• 2364088

• VISHAY

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
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SIHP33N60E-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2117SPBF
  
• 2565918

• INTERNATIONAL RECTIFIER

  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高压侧, SOIC-8

  (EN)
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SIHP33N60E-GE3相关搜索

SIHP33N60E-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.002853