SIHP22N60E-GE3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

SIHP22N60E-GE3产品信息

SIHP22N60E-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SPP20N60S5
  
• 1056552

• INFINEON

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V

  (EN)
• 搜索

• SPP20N60C3XKSA1
  
• 2325467

• INFINEON

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

  (EN)
• 搜索

• FCP165N60E
  
• 2565218

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 V

  (EN)
• 搜索

SIHP22N60E-GE3相关搜索

SIHP22N60E-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.002873