SIHG73N60E-GE3,2283634,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 73 A, 650 V, 0.032 ohm, 10 V, 2 V,VISHAY
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SIHG73N60E-GE3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 73 A, 650 V, 0.032 ohm, 10 V, 2 V

VISHAY SIHG73N60E-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIHG73N60E-GE3
仓库库存编号：
2283634
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIHG73N60E-GE3产品概述

The SIHG73N60E-GE3 is a 650V N-channel MOSFET with super junction technology to minimize on-resistance and withstand high energy pulse. This E series MOSFET features low input capacitance, reduced switching and conduction losses and simple gate drive circuitry. It is designed for soft switching topologies. Suitable for server and telecom power supply applications.
  • 100% Avalanche rated
  • Low figure of merit Ron X Qg
  • Ultra low gate charge

电源管理, 通信与网络

SIHG73N60E-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  73A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS（上）  0.032ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  2V  
  功耗 Pd  520W  
  晶体管封装类型  TO-247AC  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  E Series  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SIHG73N60E-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00672
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