SIHG33N60E-GE3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 V

SIHG33N60E-GE3产品信息

SIHG33N60E-GE3替代选择

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• IPW60R099CPFKSA1
  
• 1471753

• INFINEON

  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 V

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• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2101PBF
  
• 8638713

• INFINEON

  双路驱动器, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8

  (EN)
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• IR2103SPBF
  
• 8638730

• INFINEON

  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

  (EN)
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• IR2103PBF
  
• 8639590

• INFINEON

  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8

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SIHG33N60E-GE3相关搜索

SIHG33N60E-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.006