SIHB20N50E-GE3.,2470778,场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO-263-3,VISHAY
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SIHB20N50E-GE3. - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 19A, TO-263-3

VISHAY SIHB20N50E-GE3.
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIHB20N50E-GE3.
仓库库存编号：
2470778
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIHB20N50E-GE3.产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  19A  
  漏源电压, Vds  500V  
  在电阻RDS（上）  0.16ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  4V  
  功耗 Pd  179W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  E Series  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SIHB20N50E-GE3.产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.001996
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