SIHB15N60E-GE3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.23 ohm, 10 V, 2 V

SIHB15N60E-GE3产品信息

SIHB15N60E-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2104PBF
  
• 8638748

• INFINEON

  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, DIP-8

  (EN)
• 搜索

• IR2104SPBF
  
• 8638756

• INFINEON

  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

  (EN)
• 搜索

• IR21064SPBF
  
• 8638772

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-14

  (EN)
• 搜索

SIHB15N60E-GE3相关搜索

SIHB15N60E-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.006