SIHB12N65E-GE3,2400357,功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.33 ohm, 10 V,VISHAY
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SIHB12N65E-GE3 - 

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.33 ohm, 10 V

VISHAY SIHB12N65E-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIHB12N65E-GE3
仓库库存编号：
2400357
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SIHB12N65E-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  12A  
  漏源电压, Vds  650V  
  在电阻RDS（上）  0.33ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  -  
  功耗 Pd  156W  
  晶体管封装类型  TO-263  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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QQ:800152669

SIHB12N65E-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.0014
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