SIA445EDJ-T1-GE3,2283656,晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0135 ohm, -4.5 V, -500 mV,VISHAY
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SIA445EDJ-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0135 ohm, -4.5 V, -500 mV

VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SIA445EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
2283656
技术数据表：
(EN)
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-66569
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10+
100+
500+
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SIA445EDJ-T1-GE3
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-63000
3000起订		3000+
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SIA445EDJ-T1-GE3
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel (Alt: SIA445EDJ-T1-GE3)9000
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:87806918		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R0
3000起订		3000+
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:66385963		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET P-CH 20V 12A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R0
139起订		139+
￥3.33
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:2283656		 Vishay Intertechnologies , MOSFET P, 20V, SC-703028
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:2283656RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET P, 20V, SC-703028
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-700
3000起订		3000+
￥2.75
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:SIA445EDJ-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies Transistor: P-MOSFET, TrenchFET?, unipolar, -20V, -12A, Idm: -50A0
3000起订		3000+
￥4.26
1-3周询价 询价
  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix  
498
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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies  
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SIA445EDJ-T1-GE3 Vishay Intertechnologies  
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:2567403P		 Vishay Intertechnologies Single P-Ch PPAK Mosfet, RL3000
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:2567403		 Vishay Intertechnologies Single P-Ch PPAK Mosfet, PK3000
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SIA445EDJ-T1-GE3
库存编号:2567402		 Vishay Intertechnologies Single P-Ch PPAK Mosfet, RL3000
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SIA445EDJ-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -12A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  0.0135ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -500mV  
  功耗 Pd  19W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SC70  
  针脚数  6引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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型号 制造商 描述 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 11.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA445EDJ-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 20V 11.8A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R (Alt: SIA445EDJ-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET P-CH, 20V, SC-70

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIA445EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3		2283656

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -20 V, 0.0135 ohm, -4.5 V, -500 mV

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SIA445EDJ-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSIA445EDJ-T1-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET P-CH 20V SC-70
Rohs

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Vishay Siliconix - SIA445EDJ-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 12A SC-70		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单

型号：SIA445EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA445EDJ-T1-GE3CT <br>

无铅		搜索
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SIA445EDJ-T1-GE3|Vishay SiliconixSIA445EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH 20V SC-70
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SIA445EDJ-T1-GE3 - Vishay Si P沟道 MOSFET SIA445EDJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
制造商零件编号：
SIA445EDJ-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
787-9285
搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIA445EDJ-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00012
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