SI9435BDY-T1-E3 - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -5.7A, -30V, 2.5W

SI9435BDY-T1-E3产品信息

SI9435BDY-T1-E3替代选择

• 制造商产品编号
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• 操作

• SI4435DDY-T1-E3.
  
• 1690217

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A

  (EN)
• 搜索

• TSM3481CX6
  
• 1864596

• TAIWAN SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V, -1 V

  (EN)
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• SI9435BDY-T1-GE3
  
• 1869009

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W

  (EN)
• 搜索

• SI9435BDY-T1-E3
  
• 1878516

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC

  (EN)
• 搜索

• IRF9333PBF.
  
• 2127774

• INFINEON

  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC

  (EN)
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SI9435BDY-T1-E3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• 208-7391-55-1902
  
• 2120172

• 3M

  测试与安装插座, SOIC, 8路, 通孔安装

  (EN)
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SI9435BDY-T1-E3相关搜索

SI9435BDY-T1-E3产地与重量

原产地：

Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000199