SI8473EDB-T1-E1,1781673,晶体管, P沟道,VISHAY
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SI8473EDB-T1-E1 - 

晶体管, P沟道

VISHAY SI8473EDB-T1-E1
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI8473EDB-T1-E1
仓库库存编号：
1781673
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI8473EDB-T1-E1产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -7.1A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  41mohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -1.5V  
  功耗 Pd  1.1W  
  晶体管封装类型  TrenchFET  
  针脚数  4引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SI8473EDB-T1-E1关联产品

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QQ:800152669

SI8473EDB-T1-E1产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
0
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