SI7960DP-T1-E3,1837432,场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC,VISHAY
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SI7960DP-T1-E3 - 

场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC

VISHAY SI7960DP-T1-E3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI7960DP-T1-E3
仓库库存编号：
1837432
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI7960DP-T1-E3产品信息

  晶体管极性  Dual N Channel  
  电流, Id 连续  9.7A  
  漏源电压, Vds  60V  
  在电阻RDS（上）  25mohm  
  电压 @ Rds测量  20V  
  阈值电压 Vgs  3V  
  功耗 Pd  1.4W  
  晶体管封装类型  SOIC  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI7960DP-T1-E3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412900
重量（千克）：
.000266
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