SI7913DN-T1-GE3,1871391,场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 7.4A,VISHAY
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SI7913DN-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 7.4A

VISHAY SI7913DN-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI7913DN-T1-GE3
仓库库存编号：
1871391
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI7913DN-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  Dual P Channel  
  电流, Id 连续  -7.4A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  66mohm  
  电压 @ Rds测量  1.8V  
  阈值电压 Vgs  -1V  
  功耗 Pd  1.3W  
  晶体管封装类型  PowerPAK 1212  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI7913DN-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
Y-Ex
税则号：
85412100
重量（千克）：
.000198
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