SI7456DDP-T1-GE3,2283676,晶体管, MOSFET, N沟道, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V,VISHAY
laird代理商
专业代理销售laird（莱尔德）全系列产品-新加坡2号仓库
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：28B0500-100  IRF9540  保险丝  amphenol  4.7μF 63V 5mm  P沟道 8ohm SOT-23  2581138

SI7456DDP-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V

VISHAY SI7456DDP-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI7456DDP-T1-GE3
仓库库存编号：
2283676
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

SI7456DDP-T1-GE3产品概述

The SI7456DDP-T1-GE3 is a 100V N-channel TrenchFET? Power MOSFET. Suitable for telecom and server applications. Used in DC/DC primary side switch and synchronous rectification circuits. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

电源管理, 工业, 通信与网络

SI7456DDP-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  N沟道  
  电流, Id 连续  27.8A  
  漏源电压, Vds  100V  
  在电阻RDS（上）  0.017ohm  
  电压 @ Rds测量  10V  
  阈值电压 Vgs  1.5V  
  功耗 Pd  35.7W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SO  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
关键词         

SI7456DDP-T1-GE3相关搜索

晶体管极性 N沟道  VISHAY 晶体管极性 N沟道  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管极性 N沟道   电流, Id 连续 27.8A  VISHAY 电流, Id 连续 27.8A  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 27.8A  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电流, Id 连续 27.8A   漏源电压, Vds 100V  VISHAY 漏源电压, Vds 100V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 漏源电压, Vds 100V   在电阻RDS（上） 0.017ohm  VISHAY 在电阻RDS（上） 0.017ohm  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.017ohm  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 在电阻RDS（上） 0.017ohm   电压 @ Rds测量 10V  VISHAY 电压 @ Rds测量 10V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 电压 @ Rds测量 10V   阈值电压 Vgs 1.5V  VISHAY 阈值电压 Vgs 1.5V  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.5V  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 阈值电压 Vgs 1.5V   功耗 Pd 35.7W  VISHAY 功耗 Pd 35.7W  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 35.7W  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 功耗 Pd 35.7W   晶体管封装类型 PowerPAK SO  VISHAY 晶体管封装类型 PowerPAK SO  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 PowerPAK SO  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 晶体管封装类型 PowerPAK SO   针脚数 8引脚  VISHAY 针脚数 8引脚  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 针脚数 8引脚   工作温度最高值 150°C  VISHAY 工作温度最高值 150°C  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 工作温度最高值 150°C   产品范围 -  VISHAY 产品范围 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 产品范围 -   汽车质量标准 -  VISHAY 汽车质量标准 -  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) 汽车质量标准 -   MSL MSL 1 -无限制  VISHAY MSL MSL 1 -无限制  场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  VISHAY 场效应管MOSFET晶体管(600V以下) MSL MSL 1 -无限制  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI7456DDP-T1-GE3产地与重量

原产地：
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00012
laird电子简介 | laird产品 | laird动态 | 按系列选型 | 按产品规格选型 | laird产品应用 | laird选型手册
Copyright © 2017 www.laird-tek.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
版权所有：深圳市创唯电子有限公司 客服电话：400-900-3095 企业QQ：800152669 邮箱:sales@szcwdz.com