SI7386DP-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 19A, SOIC

SI7386DP-T1-GE3产品信息

SI7386DP-T1-GE3替代选择

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• SI7386DP-T1-E3.
  
• 1792183

• VISHAY

  晶体管, N沟道

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• SI7386DP-T1-E3
  
• 2101459

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V

  (EN)
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• SIR462DP-T1-GE3
  
• 2335399

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

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SI7386DP-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• 80-4-5
  
• 2052088

• CHEMTRONICS

  脱焊编织带, 松香 SD, 1.5M

  (EN)
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SI7386DP-T1-GE3相关搜索

SI7386DP-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

Y-Ex

税则号：

85412100

重量（千克）：

.000235