SI7137DP-T1-GE3,2335354,晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -20 V, 0.0016 ohm, -10 V, -1.4 V,VISHAY
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SI7137DP-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -20 V, 0.0016 ohm, -10 V, -1.4 V

VISHAY SI7137DP-T1-GE3
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI7137DP-T1-GE3
仓库库存编号：
2335354
技术数据表：
(EN)
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SI7137DP-T1-GE3产品概述

The SI7137DP-T1-GE3 is a -20V P-channel TrenchFET? Gen III Power MOSFET used in adapter switch, battery and load switch applications.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

电源管理

SI7137DP-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -60A  
  漏源电压, Vds  -20V  
  在电阻RDS（上）  0.0016ohm  
  电压 @ Rds测量  -10V  
  阈值电压 Vgs  -1.4V  
  功耗 Pd  104W  
  晶体管封装类型  PowerPAK SO  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SI7137DP-T1-GE3产地与重量

原产地：
Taiwan

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.00001
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