SI7113DN-T1-GE3,2335351,晶体管, MOSFET, P沟道, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V,VISHAY
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SI7113DN-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -13.2 A, -100 V, 0.119 ohm, -4.5 V, -1 V

VISHAY SI7113DN-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI7113DN-T1-GE3
仓库库存编号：
2335351
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI7113DN-T1-GE3产品概述

The SI7113DN-T1-GE3 is a -100V P-channel TrenchFET? Power MOSFET. Low thermal resistance PowerPAK? package with small size and low 1.07mm profile. Used in active clamp in intermediate DC/DC power supplies. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
  • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
  • 100% Rg Tested
  • 100% UIS Tested

电源管理

SI7113DN-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -13.2A  
  漏源电压, Vds  -100V  
  在电阻RDS（上）  0.119ohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -1V  
  功耗 Pd  52W  
  晶体管封装类型  PowerPAK 1212  
  针脚数  8引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 -无限制  
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SI7113DN-T1-GE3产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
.001
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