SI7112DN-T1-GE3 - 

MOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212-8

SI7112DN-T1-GE3产品信息

SI7112DN-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• CSD16411Q3
  
• 1710773

• TEXAS INSTRUMENTS

  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 25 V, 0.008 ohm, 4.5 V, 2 V

  (EN)
• 搜索

• IRFH3702TRPBF.
  
• 1718807

• INFINEON

  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 16A, PQFN

  (EN)
• 搜索

• IRFH3702TRPBF
  
• 1734958

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0057 ohm, 10 V, 1.8 V

  (EN)
• 搜索

• SIS402DN-T1-GE3
  
• 1840428

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 3 V

  (EN)
• 查看其他仓库

• CSD16411Q3.
  
• 2394312

• TEXAS INSTRUMENTS

  场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 56A, SON

  (EN)
• 搜索

• SI7114ADN-T1-GE3
  
• 2478964

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 11.7A, POWERPAK, 整卷

  (EN)
• 查看其他仓库

SI7112DN-T1-GE3相关搜索

SI7112DN-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000158