SI4910DY-T1-GE3 - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.6 A, 40 V, 0.022 ohm, 10 V, 2 V

SI4910DY-T1-GE3产品信息

SI4910DY-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
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• SI4288DY-T1-GE3
  
• 2056718

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.2 A, 40 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.2 V

  (EN)
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SI4910DY-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• D00840
  
• 1617218

• DURATOOL

  镊子, 6件套, 静电保护, PET 不锈钢体, 不锈钢尖

  (EN)
• 搜索

• SI4840BDY-T1-E3
  
• 1684057

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1 V

  (EN)
• 搜索

• ADP3623ARDZ-RL
  
• 1827307

• ANALOG DEVICES

  驱动器芯片, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 4A输出, 22ns延迟, nsOIC-8

  (EN)
• 搜索

• FK 244 13 D2 PAK
  
• 4302436

• FISCHER ELEKTRONIK

  散热器, 方形, 电路板, 用于D Pak, SO-8, SO-10, SO-14, SO-16, SOT-223, TO-263, 22.8 °C/W, 13 mm, 13 mm, 17.8 mm

  (EN)
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SI4910DY-T1-GE3相关搜索

SI4910DY-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.0005