SI4835DDY-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -8.7 A, -30 V, 14 mohm, -10 V, -3 V

SI4835DDY-T1-GE3产品信息

SI4835DDY-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI4835DDY-T1-E3
  
• 1690227

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC

  (EN)
• 搜索

• FDS4435BZ.
  
• 1800014

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, P沟道, -30V, 8.8A, SOIC

  (EN)
• 搜索

• FDS4435BZ
  
• 2453415

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V

  (EN)
• 搜索

• DMG4435SSS-13
  
• 2543561

• DIODES INC.

  晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -30 V, 0.013 ohm, -20 V, -1.7 V

  (EN)
• 搜索

• IRF9393TRPBF
  
• 2725929

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 0.0133 ohm, -20 V, -1.8 V

  (EN)
• 搜索

SI4835DDY-T1-GE3相关搜索

SI4835DDY-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000259