SI4825DDY-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V

SI4825DDY-T1-GE3产品信息

SI4825DDY-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• FDS6675BZ
  
• 1495209

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V

  (EN)
• 搜索

• FDS6675BZ.
  
• 2132192

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11mA

  (EN)
• 搜索

• FDS6675BZ
  
• 2323196

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.0108 ohm, -10 V, -2 V

  (EN)
• 查看其他仓库

• IRF9388TRPBF
  
• 2579999

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.0085 ohm, -20 V, -1.8 V

  (EN)
• 搜索

SI4825DDY-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• D00840
  
• 1617218

• DURATOOL

  镊子, 6件套, 静电保护, PET 不锈钢体, 不锈钢尖

  (EN)
• 搜索

• FK 244 13 D2 PAK
  
• 4302436

• FISCHER ELEKTRONIK

  散热器, 方形, 电路板, 用于D Pak, SO-8, SO-10, SO-14, SO-16, SOT-223, TO-263, 22.8 °C/W, 13 mm, 13 mm, 17.8 mm

  (EN)
• 搜索

SI4825DDY-T1-GE3相关搜索

SI4825DDY-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.0005