SI4816BDY-T1-GE3 - 

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V

SI4816BDY-T1-GE3产品信息

SI4816BDY-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI4816BDY-T1-E3
  
• 2547314

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, LITTLE FOOT, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 3 V

  (EN)
• 搜索

SI4816BDY-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IR2133SPBF
  
• 1023215

• INFINEON

  驱动器, MOSFET, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 700ns延迟, SOIC-28

  (EN)
• 搜索

• IR2110SPBF
  
• 8638845

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16

  (EN)
• 搜索

• IR2113SPBF
  
• 8638888

• INFINEON

  双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 94ns延迟, SOIC-16

  (EN)
• 搜索

SI4816BDY-T1-GE3相关搜索

SI4816BDY-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

Y-Ex

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000301