SI4435DDY-T1-E3. - 

场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A

SI4435DDY-T1-E3.产品信息

SI4435DDY-T1-E3.替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IRF9333PBF
  
• 1831077

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -30 V, 15.6 mohm, -10 V, -1.8 V

  (EN)
• 搜索

• SI4435DDY-T1-GE3
  
• 1858951

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.1 A, -30 V, 19.5 mohm, -10 V, -3 V

  (EN)
• 搜索

• SI4435DDY-T1-E3
  
• 2101446

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -11.4 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V

  (EN)
• 搜索

• SI4435DDY-T1-GE3.
  
• 2125837

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道

  (EN)
• 搜索

• IRF9333PBF.
  
• 2127774

• INFINEON

  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -9.2A, SOIC

  (EN)
• 查看其他仓库

SI4435DDY-T1-E3.关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• 80-4-5
  
• 2052088

• CHEMTRONICS

  脱焊编织带, 松香 SD, 1.5M

  (EN)
• 搜索

• 208-7391-55-1902
  
• 2120172

• 3M

  测试与安装插座, SOIC, 8路, 通孔安装

  (EN)
• 查看其他仓库

• FDS4935A.
  
• 2370896

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 7A, SOIC-8, 整卷

  (EN)
• 查看其他仓库

SI4435DDY-T1-E3.相关搜索

SI4435DDY-T1-E3.产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

Y-Ex

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000225