SI4174DY-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 7.8 mohm, 10 V, 1 V

SI4174DY-T1-GE3产品信息

SI4174DY-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IRF7413ZPBF
  
• 1013430

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.8 V

  (EN)
• 搜索

• FDS6680A
  
• 1095017

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V

  (EN)
• 搜索

• IRF7413ZTRPBF.
  
• 1374986

• INFINEON

  场效应管, MOSFET

  (EN)
• 查看其他仓库

• FDS8880
  
• 1700669

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 30 V, 0.0079 ohm, 10 V, 2.5 V

  (EN)
• 搜索

• FDS6680A
  
• 2438454

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V

  (EN)
• 搜索

• FDS8880
  
• 2438459

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 30 V, 7.9 mohm, 10 V, 2.5 V

  (EN)
• 查看其他仓库

• IRF7413ZTRPBF
  
• 2468020

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1.8 V

  (EN)
• 搜索

• STS12NF30L
  
• 9946381

• STMICROELECTRONICS

  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 V

  (EN)
• 查看其他仓库

SI4174DY-T1-GE3相关搜索

SI4174DY-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.0005