SI3483CDV-T1-E3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.027 ohm, -10 V, -3 V

SI3483CDV-T1-E3产品信息

SI3483CDV-T1-E3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• TSM3481CX6
  
• 1864596

• TAIWAN SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V, -1 V

  (EN)
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• SI3483CDV-T1-GE3.
  
• 2449927

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道

  (EN)
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• SI3483CDV-T1-GE3
  
• 2454804

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 27 mohm, -10 V, -3 V

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SI3483CDV-T1-E3相关搜索

SI3483CDV-T1-E3产地与重量

原产地：

United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000046