SI3460DDV-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, D-S, 20V, 7.9A, TSOP6

SI3460DDV-T1-GE3产品信息

SI3460DDV-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• FDC637AN
  
• 1700712

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 24 mohm, 4.5 V, 820 mV

  (EN)
• 搜索

• SI3460DDV-T1-GE3
  
• 1858948

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV

  (EN)
• 搜索

• FDC637AN..
  
• 9816720

• ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

  场效应管, MOSFET, N沟道

  (EN)
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SI3460DDV-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• MM01019
  
• 1001722

• MULTICORE / LOCTITE

  焊锡丝, 60/40 锡/铅, 190°C, 0.5磅

  (EN)
• 搜索

SI3460DDV-T1-GE3相关搜索

SI3460DDV-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000049