SI3458BDV-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2A, 60V, 2W

SI3458BDV-T1-GE3产品信息

SI3458BDV-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI3458BDV-T1-E3.
  
• 1690210

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 4.1A, TSOP

  (EN)
• 搜索

• SI3458BDV-T1-E3
  
• 1838999

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.1 A, 60 V, 0.082 ohm, 10 V, 3 V

  (EN)
• 搜索

SI3458BDV-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• 80-4-5
  
• 2052088

• CHEMTRONICS

  脱焊编织带, 松香 SD, 1.5M

  (EN)
• 搜索

• STS4DNF60L.
  
• 2395615

• STMICROELECTRONICS

  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC

  (EN)
• 搜索

SI3458BDV-T1-GE3相关搜索

SI3458BDV-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000049