SI2367DS-T1-GE3 - 

晶体管, P沟道

SI2367DS-T1-GE3产品信息

SI2367DS-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• PMV65XP,215
  
• 1758119

• NEXPERIA

  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV

  (EN)
• 查看其他仓库

• PMV65XP,215.
  
• 2147884

• NEXPERIA

  场效应管, MOSFET, P 通道, -20V, -3.9A, 3-SOT-23

  (EN)
• 搜索

• DMP2160U-7
  
• 2543563

• DIODES INC.

  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.3 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -600 mV

  (EN)
• 搜索

• NTRV4101PT1G
  
• 2728037

• ON SEMICONDUCTOR

  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -0.72 V

  (EN)
• 搜索

SI2367DS-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• 80-4-5
  
• 2052088

• CHEMTRONICS

  脱焊编织带, 松香 SD, 1.5M

  (EN)
• 搜索

SI2367DS-T1-GE3相关搜索

SI2367DS-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000057