SI2337DS-T1-GE3.,1837398,场效应管, MOSFET, P沟道, -80V, 2.2A TO-236,VISHAY
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SI2337DS-T1-GE3. - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -80V, 2.2A TO-236

VISHAY SI2337DS-T1-GE3.
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制造商：
VISHAY VISHAY
制造商产品编号：
SI2337DS-T1-GE3.
仓库库存编号：
1837398
技术数据表：
(EN)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI2337DS-T1-GE3.产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -2.2A  
  漏源电压, Vds  -80V  
  在电阻RDS（上）  0.216ohm  
  电压 @ Rds测量  -6V  
  阈值电压 Vgs  -4V  
  功耗 Pd  760mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  MSL 1 - Unlimited  
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SI2337DS-T1-GE3.产地与重量

原产地：
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：
是
税则号：
85412900
重量（千克）：
0
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