SI2323DS-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V

SI2323DS-T1-GE3产品信息

SI2323DS-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI2323DS-T1-E3
  
• 1470106

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -20 V, 39 mohm, -4.5 V, -1 V

  (EN)
• 搜索

• DMG3415U-7
  
• 1843688

• DIODES INC.

  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 31 mohm, -4.5 V, -550 mV

  (EN)
• 搜索

• SI2323DS-T1-E3
  
• 2371203

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236, 整卷

  (EN)
• 搜索

SI2323DS-T1-GE3相关搜索

SI2323DS-T1-GE3产地与重量

原产地：

United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.00001