SI2323DS-T1-E3 - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236, 整卷

SI2323DS-T1-E3产品信息

SI2323DS-T1-E3替代选择

• 制造商产品编号
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• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• SI2323DS-T1-GE3
  
• 1690271

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236

  (EN)
• 搜索

• DMG3415U-7
  
• 1843688

• DIODES INC.

  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 31 mohm, -4.5 V, -550 mV

  (EN)
• 搜索

• SI2323DS-T1-GE3
  
• 2371204

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.7A TO-236, 整卷

  (EN)
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SI2323DS-T1-E3相关搜索

SI2323DS-T1-E3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412100

重量（千克）：

.000041