SI2319CDS-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -4.4A, SOT-23-3

SI2319CDS-T1-GE3产品信息

SI2319CDS-T1-GE3替代选择

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• 操作

• SI2319CDS-T1-GE3
  
• 1858942

• VISHAY

  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.4 A, -40 V, 0.064 ohm, -10 V, -1.2 V

  (EN)
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• SI2319CDS-T1-GE3
  
• 2371865

• VISHAY

  场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -4.4A, SOT-23-3, 整卷

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SI2319CDS-T1-GE3产地与重量

原产地：

China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.000181