SI2315BDS-T1-GE3,1867177,场效应管, MOSFET, P沟道, -3A, -12V, 750mW,VISHAY
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SI2315BDS-T1-GE3 - 

场效应管, MOSFET, P沟道, -3A, -12V, 750mW

VISHAY SI2315BDS-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
VISHAY VISHAY
制造商产品编号:
SI2315BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
1867177
技术数据表:
(EN)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SI2315BDS-T1-GE3产品信息

  晶体管极性  P沟道  
  电流, Id 连续  -3A  
  漏源电压, Vds  -12V  
  在电阻RDS(上)  40mohm  
  电压 @ Rds测量  -4.5V  
  阈值电压 Vgs  -900mV  
  功耗 Pd  750mW  
  晶体管封装类型  SOT-23  
  针脚数  3引脚  
  工作温度最高值  150°C  
  产品范围  -  
  汽车质量标准  -  
  MSL  -  
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SI2315BDS-T1-GE3替代选择

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参考价格及参考库存
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI2315BDS-T1-GE3产地与重量

原产地:
China

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规:
税则号:
85412900
重量(千克):
.000045
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