SI2308BDS-T1-GE3 - 

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V

SI2308BDS-T1-GE3产品概述

SI2308BDS-T1-GE3产品信息

SI2308BDS-T1-GE3替代选择

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• IRLML0060TRPBF
  
• 1783927

• INFINEON

  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V

  (EN)
• 搜索

• RSR020N06FRATL
  
• 2706674

• ROHM

  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V

  (EN)
• 搜索

SI2308BDS-T1-GE3关联产品

• 制造商产品编号
• 仓库库存编号
• 制造商 / 说明 / 规格书
• 操作

• RE901
  
• 1172113

• ROTH ELEKTRONIK

  电路板, 多模适配器, 环氧玻璃复合, 1.5mm, 22.86mm x 46.72mm

  (EN)
• 搜索

• SI9945BDY-T1-GE3
  
• 1794822

• VISHAY

  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V

  (EN)
• 搜索

SI2308BDS-T1-GE3相关搜索

SI2308BDS-T1-GE3产地与重量

原产地：

United States

进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：

是

税则号：

85412900

重量（千克）：

.00004