SI2308BDS-T1-E3,2335286,晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V,VISHAY

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SI2308BDS-T1-E3 -

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V

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制造商：: VISHAY VISHAY
制造商产品编号：: SI2308BDS-T1-E3
仓库库存编号：: 2335286
技术数据表：: (EN)

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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SI2308BDS-T1-E3产品概述

The SI2308BDS-T1-E3 is a 60V N-channel TrenchFET? Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT? power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
100% Rg Tested
100% UIS Tested

电源管理

SI2308BDS-T1-E3产品信息

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

SI2308BDS-T1-E3产地与重量

原产地：: China
进行最后一道重要生产流程所在的国家
RoHS 合规：: 是
税则号：: 85412900
重量（千克）：: .00005

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

晶体管极性	N沟道
电流, Id 连续	2.3A
漏源电压, Vds	60V
在电阻RDS（上）	0.13ohm
电压 @ Rds测量	10V
阈值电压 Vgs	1V
功耗 Pd	1.66W
晶体管封装类型	SOT-23
针脚数	3引脚
工作温度最高值	150°C
产品范围	-
汽车质量标准	-
MSL	-
关键词

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晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V

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SI2308BDS-T1-E3替代选择

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V

ROHM

晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V

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